高功率高亮度半导体激光芯片技术项目

　　一、项目基本情况

　　高功率高亮度半导体激光芯片是现阶段固体激光泵浦、激光加工、激光医疗等领域的关键核心光源，具有巨大的市场前景。由于高功率半导体激光芯片对于工业、国防建设的重要性，现阶段国外先进芯片产品对中国实行部分限运。本成果打破了国外对我国技术封锁，满足了我国对高性能芯片的需求。

　　本科技成果成功实现975nm波段单管输出功率10W，效率>55%;808nm波段巴条输出功率100W，效率>50%。该成果实现的技术指标与nLight，DILAS等国外公司产品水平相当，打破了国外垄断。

　　二、预计投资额度：6000万元

　　三、合作模式：技术入股

　　四、联系方式

　　联系单位：中科院长春光机所

　　联系地址：

　　联 系 人：张建伟

　　联系电话：0431-86176303

　　电子邮箱：